Каталог товаров
Назад

FZ1200R33KL2CNOSA1

  • Описание
    IGBT MODULE 3300V IHV 190MM


FZ1200R33KL2CNOSA1 характеристики

Серия -
Part Status Obsolete
Вид монтажа Surface Mount
Корпус Module
Рабочая температура -40°C ~ 125°C (TJ)
Рассеивание мощности 14500W
Исполнение корпуса Module
Максимальный Ток Коллектора (Ic) 2300A
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер 3300V
Обратный ток коллектора (Max) 5mA
Тип IGBT -
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 3.65V @ 15V, 1200A
Входная емкость (Cies) @ Vce 145nF @ 25V
Вход Standard
NTC термистр No

Характеристики

Серия -
Part Status Obsolete
Вид монтажа Surface Mount
Корпус Module
Рабочая температура -40°C ~ 125°C (TJ)
Рассеивание мощности 14500W
Исполнение корпуса Module
Максимальный Ток Коллектора (Ic) 2300A
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер 3300V
Обратный ток коллектора (Max) 5mA
Тип IGBT -
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 3.65V @ 15V, 1200A
Входная емкость (Cies) @ Vce 145nF @ 25V
Вход Standard
NTC термистр No

FZ1200R33KL2CNOSA1

  • Описание
    IGBT MODULE 3300V IHV 190MM

Бесплатная доставка FZ1200R33KL2CNOSA1 по России

Транзисторы — биполярные с изолированным затвором (IGBT) — модули FZ1200R33KL2CNOSA1 Infineon Technologies доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить FZ1200R33KL2CNOSA1 с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Похожие товары
Infineon Technologies
Module: gate driver board; IGBT half-bridge; AG-EICE; PCB; 1.7kV
12 шт.
21 шт.
от 33 183 ₽
+ 4977
Infineon Technologies
MODULE IGBT STACK A-MS3-1
1 шт.
1 шт.
от 4 988 529 ₽
+ 748279
Infineon Technologies
IGBT 2 MED POWER 34MM-1
10 шт.
4 шт.
от 24 463 ₽
+ 3669
Infineon Technologies
IGBT 2 MED POWER 62MM-2
10 шт.
200 шт.
от 41 812 ₽
+ 12544
Infineon Technologies
IGBT 2 MED POWER 62MM-2
10 шт.
110 шт.
от 51 931 ₽
+ 15579