Каталог товаров
Назад

FZ1200R17HE4PHPSA1

  • Описание
    MODULE IGBT IHMB130-2


FZ1200R17HE4PHPSA1 характеристики

Серия -
Part Status Active
Вид монтажа Chassis Mount
Корпус Module
Рабочая температура -40°C ~ 150°C
Конфигурация Single Switch
Исполнение корпуса Module
Максимальный Ток Коллектора (Ic) 1200A
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер 1700V
Обратный ток коллектора (Max) 5mA
Тип IGBT Trench Field Stop
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 1200A
Входная емкость (Cies) @ Vce 97nF @ 25V
Вход Standard
NTC термистр No

Характеристики

Серия -
Part Status Active
Вид монтажа Chassis Mount
Корпус Module
Рабочая температура -40°C ~ 150°C
Конфигурация Single Switch
Исполнение корпуса Module
Максимальный Ток Коллектора (Ic) 1200A
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер 1700V
Обратный ток коллектора (Max) 5mA
Тип IGBT Trench Field Stop
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 1200A
Входная емкость (Cies) @ Vce 97nF @ 25V
Вход Standard
NTC термистр No

FZ1200R17HE4PHPSA1

  • Описание
    MODULE IGBT IHMB130-2
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию



Бесплатная доставка FZ1200R17HE4PHPSA1 по России

Транзисторы — биполярные с изолированным затвором (IGBT) — модули FZ1200R17HE4PHPSA1 Infineon Technologies доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить FZ1200R17HE4PHPSA1 с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Похожие товары
Infineon Technologies
Module: gate driver board; IGBT half-bridge; AG-EICE; PCB; 1.7kV
12 шт.
21 шт.
от 33 183 ₽
+ 4977
Infineon Technologies
MODULE IGBT STACK A-MS3-1
1 шт.
1 шт.
от 4 988 529 ₽
+ 748279
Infineon Technologies
IGBT 2 MED POWER 34MM-1
10 шт.
4 шт.
от 24 463 ₽
+ 3669
Infineon Technologies
IGBT 2 MED POWER 62MM-2
10 шт.
200 шт.
от 41 812 ₽
+ 12544
Infineon Technologies
IGBT 2 MED POWER 62MM-2
10 шт.
110 шт.
от 51 931 ₽
+ 15579