FDMS86101 от 484 ₽, Транзисторы — полевые — одиночные, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 60А; 104Вт; PQFN8, ON Semiconductor

FDMS86101 характеристики	Выбрать все
Серия	PowerTrench®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerTDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-PQFN (5x6)
Рассеивание мощности (Макс)	2.5W (Ta), 104W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	100V
Ток стока (Id) @ 25°C	12.4A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8 mOhm @ 13A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	55nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3000pF @ 50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Серия	PowerTrench®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerTDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-PQFN (5x6)
Рассеивание мощности (Макс)	2.5W (Ta), 104W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	100V
Ток стока (Id) @ 25°C	12.4A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8 mOhm @ 13A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	55nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3000pF @ 50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Vgs (Max)	±20V