Каталог товаров
Назад

FDC3601N

  • Описание
    Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 1А; 0,96Вт; SuperSOT-6
162
цена с НДС
  • 1 шт
    162 ₽
  • 10 шт
    101 ₽
  • 100 шт
    65 ₽
  • 500 шт
    50 ₽
  • 1000 шт
    45 ₽
  • 3000 шт
    37 ₽
  • 6000 шт
    34 ₽
Добавить в корзину 1 шт на сумму 162
При покупке кэшбэк 24 балла
  • Бесплатная доставка по России
    Бесплатная доставка без минимальной суммы заказа!
    Доставим в любой пункт выдачи СДЭК или курьером до вашего адреса по всей России.

FDC3601N характеристики

Серия PowerTrench®
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 700mW
Исполнение корпуса SuperSOT™-6
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 100V
Ток стока (Id) @ 25°C 1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500 mOhm @ 1A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 153pF @ 50V
  • Производитель
    onsemi

Характеристики

Серия PowerTrench®
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 700mW
Исполнение корпуса SuperSOT™-6
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 100V
Ток стока (Id) @ 25°C 1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500 mOhm @ 1A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 153pF @ 50V

FDC3601N

  • Описание
    Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 1А; 0,96Вт; SuperSOT-6
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


  • Производитель
    onsemi

Бесплатно доставим FDC3601N в пункт выдачи или курьером по вашему адресу

Транзисторы — полевые — массивы FDC3601N ON Semiconductor доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить FDC3601N с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Похожие товары
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
60 шт - 4-6 недель
от 1960 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 294
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
47 шт - 4-6 недель
от 1831 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 275
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
18 шт - 4-6 недель
от 1831 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 275
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
44 шт - 4-6 недель
от 1420 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 213
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
459 шт - 4-6 недель
от 2055 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 308
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
45 шт - 4-6 недель
от 1888 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 283
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
164 шт - 4-6 недель
от 1273 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 191
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
45 шт - 4-6 недель
от 1431 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 215
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP
119 шт - 4-6 недель
от 1252 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 188
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP
90 шт - 4-6 недель
от 1273 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 191
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14SOIC
106 шт - 4-6 недель
от 1325 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 199
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP
13 шт - 4-6 недель
от 1906 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 286