Каталог товаров
Назад

FDC3601N

  • Описание
    Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 1А; 0,96Вт; SuperSOT-6
169
цена с НДС
  • 1 шт
    169 ₽
  • 10 шт
    105 ₽
  • 100 шт
    68 ₽
  • 500 шт
    53 ₽
  • 3000 шт
    53 ₽
Добавить в корзину 1 шт на сумму 169
При покупке кэшбэк 25 баллов
  • Бесплатная доставка по России
    Бесплатная доставка без минимальной суммы заказа!
    Доставим в любой пункт выдачи СДЭК или курьером до вашего адреса по всей России.

FDC3601N характеристики

Серия PowerTrench®
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 700mW
Исполнение корпуса SuperSOT™-6
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 100V
Ток стока (Id) @ 25°C 1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500 mOhm @ 1A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 153pF @ 50V
  • Производитель
    onsemi / Fairchild

Характеристики

Серия PowerTrench®
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 700mW
Исполнение корпуса SuperSOT™-6
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 100V
Ток стока (Id) @ 25°C 1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500 mOhm @ 1A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 153pF @ 50V

FDC3601N

  • Описание
    Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 1А; 0,96Вт; SuperSOT-6
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


  • Производитель
    onsemi / Fairchild

Бесплатно доставим FDC3601N в пункт выдачи или курьером по вашему адресу

Транзисторы — полевые — массивы FDC3601N ON Semiconductor доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить FDC3601N с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Похожие товары
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
35 шт - 4-6 недель
от 2046 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 307
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
42 шт - 4-6 недель
от 1911 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 287
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
17 шт - 4-6 недель
от 1911 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 287
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
28 шт - 4-6 недель
от 1483 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 222
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
454 шт - 4-6 недель
от 2145 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 322
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
24 шт - 4-6 недель
от 2068 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 310
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
1398 шт - 4-6 недель
от 1494 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 224
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
41 шт - 4-6 недель
от 1494 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 224
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP
1638 шт - 4-6 недель
от 1567 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 235
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP
1205 шт - 4-6 недель
от 1596 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 239
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14SOIC
106 шт - 4-6 недель
от 1383 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 207
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP
7 шт - 4-6 недель
от 2132 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 320