Каталог товаров
Назад

FDC3601N

  • Описание
    Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 1А; 0,96Вт; SuperSOT-6
147
цена с НДС
  • 1 шт
    147 ₽
  • 10 шт
    92 ₽
  • 100 шт
    60 ₽
  • 500 шт
    46 ₽
  • 3000 шт
    46 ₽
Добавить в корзину 1 шт на сумму 147
При покупке кэшбэк 22 балла
  • Бесплатная доставка по России
    Бесплатная доставка без минимальной суммы заказа!
    Доставим в любой пункт выдачи СДЭК или курьером до вашего адреса по всей России.

FDC3601N характеристики

Серия PowerTrench®
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 700mW
Исполнение корпуса SuperSOT™-6
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 100V
Ток стока (Id) @ 25°C 1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500 mOhm @ 1A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 153pF @ 50V
  • Производитель
    onsemi / Fairchild

Характеристики

Серия PowerTrench®
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 700mW
Исполнение корпуса SuperSOT™-6
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 100V
Ток стока (Id) @ 25°C 1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500 mOhm @ 1A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 153pF @ 50V

FDC3601N

  • Описание
    Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 1А; 0,96Вт; SuperSOT-6
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


  • Производитель
    onsemi / Fairchild

Бесплатно доставим FDC3601N в пункт выдачи или курьером по вашему адресу

Транзисторы — полевые — массивы FDC3601N ON Semiconductor доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить FDC3601N с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Похожие товары
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
15 шт - 4-6 недель
от 1868 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 280
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
50 шт - 4-6 недель
от 1745 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 262
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
41 шт - 4-6 недель
от 1354 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 203
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
20 шт - 4-6 недель
от 1745 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 262
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
43 шт - 4-6 недель
от 1224 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 184
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт - 4-6 недель
от 1844 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 277
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
45 шт - 4-6 недель
от 1842 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 276
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
177 шт - 4-6 недель
от 1241 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 186
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт - 4-6 недель
от 1365 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 205
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP
135 шт - 4-6 недель
от 1221 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 183
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC
3011 шт - 4-6 недель
от 1365 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 205
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP
93 шт - 4-6 недель
от 1241 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 186