EL1117-G характеристики	Выбрать все
Производитель	Everlight Electronics Co Ltd
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 5 Leads
Тип входа	DC
Рабочая температура	-55°C ~ 110°C
Тип выходного сигнала	Transistor with Base
Количество каналов	1
Исполнение корпуса	5-SOP
Выходной ток на канал	50mA
Изоляционное напряжение	5000Vrms
Время нарастания / Время затухания (Номинальное)	2µs, 3µs
Прямое напряжение (Vf)	1.5V (Max)
Выходное напряжение (Макс)	80V
Прямой ток (If) (Max)	60mA
Коэффициент усиления по току (Мин)	80% @ 5mA
Коэффициент усиления по току (Макс)	160% @ 5mA
Время включения / выключения (номинальное)	4µs, 3µs
Напряжение насыщения (Макс)	400mV

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Everlight Electronics Co Ltd
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 5 Leads
Тип входа	DC
Рабочая температура	-55°C ~ 110°C
Тип выходного сигнала	Transistor with Base
Количество каналов	1
Исполнение корпуса	5-SOP
Выходной ток на канал	50mA
Изоляционное напряжение	5000Vrms
Время нарастания / Время затухания (Номинальное)	2µs, 3µs
Прямое напряжение (Vf)	1.5V (Max)
Выходное напряжение (Макс)	80V
Прямой ток (If) (Max)	60mA
Коэффициент усиления по току (Мин)	80% @ 5mA
Коэффициент усиления по току (Макс)	160% @ 5mA
Время включения / выключения (номинальное)	4µs, 3µs
Напряжение насыщения (Макс)	400mV

EL1117-G

EL1117-G характеристики