DG722DN-T1-GE4 характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Корпус	8-UFDFN Exposed Pad
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C (TA)
Исполнение корпуса	8-TDFN (2x2)
Количество схем	2
Полоса пропускания -3 дБ	366MHz
Схема Мультиплексора/Демультиплексора	1:1
Переключающая схема	SPST - NC
"Сопротивление в состоянии ""Включено"" (Макс)"	4.5 Ohm
Напряжение питания (V+)	1.8 V ~ 5.5 V
Напряжение притания - двухполярное (V±)	-
Channel-to-Channel Matching (?Ron)	200 mOhm
Время переключения (Ton, Toff) (Макс)	30ns, 35ns
Инжекция заряда	2.2pC
Channel Capacitance (CS(off), CD(off))	8pF, 9pF
Ток утечки (IS(off)) (Max)	250pA
Перекрёстные помехи	-90dB @ 10MHz

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Корпус	8-UFDFN Exposed Pad
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C (TA)
Исполнение корпуса	8-TDFN (2x2)
Количество схем	2
Полоса пропускания -3 дБ	366MHz
Схема Мультиплексора/Демультиплексора	1:1
Переключающая схема	SPST - NC
"Сопротивление в состоянии ""Включено"" (Макс)"	4.5 Ohm
Напряжение питания (V+)	1.8 V ~ 5.5 V
Напряжение притания - двухполярное (V±)	-
Channel-to-Channel Matching (?Ron)	200 mOhm
Время переключения (Ton, Toff) (Макс)	30ns, 35ns
Инжекция заряда	2.2pC
Channel Capacitance (CS(off), CD(off))	8pF, 9pF
Ток утечки (IS(off)) (Max)	250pA
Перекрёстные помехи	-90dB @ 10MHz

DG722DN-T1-GE4

DG722DN-T1-GE4 характеристики