DG636EN-T1-E4 характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Корпус	16-WFQFN
Рабочая температура	-40°C ~ 125°C (TA)
Исполнение корпуса	16-miniQFN (1.8x2.6)
Количество схем	2
Base Part Number	DG636
Полоса пропускания -3 дБ	610MHz
Схема Мультиплексора/Демультиплексора	2:1
Переключающая схема	SPDT
"Сопротивление в состоянии ""Включено"" (Макс)"	115 Ohm
Напряжение питания (V+)	2.7 V ~ 12 V
Напряжение притания - двухполярное (V±)	±2.7 V ~ 5 V
Channel-to-Channel Matching (?Ron)	1 Ohm
Время переключения (Ton, Toff) (Макс)	60ns, 52ns
Инжекция заряда	0.1pC
Channel Capacitance (CS(off), CD(off))	2.1pF, 4.2pF
Ток утечки (IS(off)) (Max)	100pA
Перекрёстные помехи	-88dB @ 10MHz

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Корпус	16-WFQFN
Рабочая температура	-40°C ~ 125°C (TA)
Исполнение корпуса	16-miniQFN (1.8x2.6)
Количество схем	2
Base Part Number	DG636
Полоса пропускания -3 дБ	610MHz
Схема Мультиплексора/Демультиплексора	2:1
Переключающая схема	SPDT
"Сопротивление в состоянии ""Включено"" (Макс)"	115 Ohm
Напряжение питания (V+)	2.7 V ~ 12 V
Напряжение притания - двухполярное (V±)	±2.7 V ~ 5 V
Channel-to-Channel Matching (?Ron)	1 Ohm
Время переключения (Ton, Toff) (Макс)	60ns, 52ns
Инжекция заряда	0.1pC
Channel Capacitance (CS(off), CD(off))	2.1pF, 4.2pF
Ток утечки (IS(off)) (Max)	100pA
Перекрёстные помехи	-88dB @ 10MHz

DG636EN-T1-E4

DG636EN-T1-E4 характеристики