DG470EY-T1-E3 характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-40°C ~ 125°C (TA)
Исполнение корпуса	8-SOIC
Количество схем	1
Base Part Number	DG470
Полоса пропускания -3 дБ	-
Схема Мультиплексора/Демультиплексора	2:1
Переключающая схема	SPDT
"Сопротивление в состоянии ""Включено"" (Макс)"	6 Ohm
Напряжение питания (V+)	12V
Напряжение притания - двухполярное (V±)	±4.5 V ~ 15 V
Channel-to-Channel Matching (?Ron)	120 mOhm
Время переключения (Ton, Toff) (Макс)	166ns, 108ns
Инжекция заряда	58pC
Channel Capacitance (CS(off), CD(off))	37pF, 85pF
Ток утечки (IS(off)) (Max)	500pA
Перекрёстные помехи	-63dB @ 1MHz

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-40°C ~ 125°C (TA)
Исполнение корпуса	8-SOIC
Количество схем	1
Base Part Number	DG470
Полоса пропускания -3 дБ	-
Схема Мультиплексора/Демультиплексора	2:1
Переключающая схема	SPDT
"Сопротивление в состоянии ""Включено"" (Макс)"	6 Ohm
Напряжение питания (V+)	12V
Напряжение притания - двухполярное (V±)	±4.5 V ~ 15 V
Channel-to-Channel Matching (?Ron)	120 mOhm
Время переключения (Ton, Toff) (Макс)	166ns, 108ns
Инжекция заряда	58pC
Channel Capacitance (CS(off), CD(off))	37pF, 85pF
Ток утечки (IS(off)) (Max)	500pA
Перекрёстные помехи	-63dB @ 1MHz

DG470EY-T1-E3

DG470EY-T1-E3 характеристики