CVJ10F30,LF характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Исполнение корпуса	UFV
Тип диода	Schottky
Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If	570mV @ 1A
Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)	50µA @ 30V
Конфигурация диода	2 Independent
Максимальное обратное напряжение (Vr)	30V
Cреднее значение выпрямленного тока (Io) (на один диод)	1A
Скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рабочая температура pn-прехода	125°C (Max)

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Исполнение корпуса	UFV
Тип диода	Schottky
Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If	570mV @ 1A
Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)	50µA @ 30V
Конфигурация диода	2 Independent
Максимальное обратное напряжение (Vr)	30V
Cреднее значение выпрямленного тока (Io) (на один диод)	1A
Скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рабочая температура pn-прехода	125°C (Max)

CVJ10F30,LF

CVJ10F30,LF характеристики