CNY65EXI характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Semiconductor Opto Division
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	4-DIP (0.300", 7.62mm)
Тип входа	DC
Рабочая температура	-55°C ~ 100°C
Тип выходного сигнала	Transistor
Количество каналов	1
Исполнение корпуса	4-DIP
Выходной ток на канал	50mA
Изоляционное напряжение	11600VDC
Время нарастания / Время затухания (Номинальное)	2.4µs, 2.4µs
Прямое напряжение (Vf)	1.25V
Выходное напряжение (Макс)	32V
Прямой ток (If) (Max)	75mA
Коэффициент усиления по току (Мин)	50% @ 5mA
Коэффициент усиления по току (Макс)	300% @ 5mA
Время включения / выключения (номинальное)	5µs, 3µs
Напряжение насыщения (Макс)	300mV

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Semiconductor Opto Division
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	4-DIP (0.300", 7.62mm)
Тип входа	DC
Рабочая температура	-55°C ~ 100°C
Тип выходного сигнала	Transistor
Количество каналов	1
Исполнение корпуса	4-DIP
Выходной ток на канал	50mA
Изоляционное напряжение	11600VDC
Время нарастания / Время затухания (Номинальное)	2.4µs, 2.4µs
Прямое напряжение (Vf)	1.25V
Выходное напряжение (Макс)	32V
Прямой ток (If) (Max)	75mA
Коэффициент усиления по току (Мин)	50% @ 5mA
Коэффициент усиления по току (Макс)	300% @ 5mA
Время включения / выключения (номинальное)	5µs, 3µs
Напряжение насыщения (Макс)	300mV

CNY65EXI

CNY65EXI характеристики