6N136F характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	8-DIP (0.300", 7.62mm)
Тип входа	DC
Рабочая температура	-55°C ~ 100°C
Тип выходного сигнала	Transistor with Base
Количество каналов	1
Исполнение корпуса	8-DIP
Base Part Number	6N136
Выходной ток на канал	8mA
Изоляционное напряжение	2500Vrms
Время нарастания / Время затухания (Номинальное)	-
Прямое напряжение (Vf)	1.65V
Выходное напряжение (Макс)	15V
Прямой ток (If) (Max)	25mA
Коэффициент усиления по току (Мин)	19% @ 16mA
Коэффициент усиления по току (Макс)	-
Время включения / выключения (номинальное)	200ns, 500ns
Напряжение насыщения (Макс)	-

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	8-DIP (0.300", 7.62mm)
Тип входа	DC
Рабочая температура	-55°C ~ 100°C
Тип выходного сигнала	Transistor with Base
Количество каналов	1
Исполнение корпуса	8-DIP
Base Part Number	6N136
Выходной ток на канал	8mA
Изоляционное напряжение	2500Vrms
Время нарастания / Время затухания (Номинальное)	-
Прямое напряжение (Vf)	1.65V
Выходное напряжение (Макс)	15V
Прямой ток (If) (Max)	25mA
Коэффициент усиления по току (Мин)	19% @ 16mA
Коэффициент усиления по току (Макс)	-
Время включения / выключения (номинальное)	200ns, 500ns
Напряжение насыщения (Макс)	-

6N136F

6N136F характеристики