4N35(SHORT,F) характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	6-DIP (0.300", 7.62mm)
Тип входа	DC
Рабочая температура	-55°C ~ 100°C
Тип выходного сигнала	Transistor with Base
Количество каналов	1
Исполнение корпуса	6-DIP
Base Part Number	4N35
Выходной ток на канал	100mA
Изоляционное напряжение	2500Vrms
Время нарастания / Время затухания (Номинальное)	-
Прямое напряжение (Vf)	1.15V
Выходное напряжение (Макс)	30V
Прямой ток (If) (Max)	60mA
Коэффициент усиления по току (Мин)	40% @ 10mA
Коэффициент усиления по току (Макс)	-
Время включения / выключения (номинальное)	3µs, 3µs
Напряжение насыщения (Макс)	300mV

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	6-DIP (0.300", 7.62mm)
Тип входа	DC
Рабочая температура	-55°C ~ 100°C
Тип выходного сигнала	Transistor with Base
Количество каналов	1
Исполнение корпуса	6-DIP
Base Part Number	4N35
Выходной ток на канал	100mA
Изоляционное напряжение	2500Vrms
Время нарастания / Время затухания (Номинальное)	-
Прямое напряжение (Vf)	1.15V
Выходное напряжение (Макс)	30V
Прямой ток (If) (Max)	60mA
Коэффициент усиления по току (Мин)	40% @ 10mA
Коэффициент усиления по току (Макс)	-
Время включения / выключения (номинальное)	3µs, 3µs
Напряжение насыщения (Макс)	300mV

4N35(SHORT,F)

4N35(SHORT,F) характеристики