4N25M-V характеристики	Выбрать все
Производитель	Everlight Electronics Co Ltd
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	6-DIP (0.400", 10.16mm)
Тип входа	DC
Рабочая температура	-55°C ~ 110°C
Тип выходного сигнала	Transistor with Base
Количество каналов	1
Исполнение корпуса	6-DIP
Выходной ток на канал	-
Изоляционное напряжение	5000Vrms
Время нарастания / Время затухания (Номинальное)	-
Прямое напряжение (Vf)	1.2V
Выходное напряжение (Макс)	80V
Прямой ток (If) (Max)	60mA
Коэффициент усиления по току (Мин)	20% @ 10mA
Коэффициент усиления по току (Макс)	-
Время включения / выключения (номинальное)	3µs, 3µs
Напряжение насыщения (Макс)	500mV

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Everlight Electronics Co Ltd
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	6-DIP (0.400", 10.16mm)
Тип входа	DC
Рабочая температура	-55°C ~ 110°C
Тип выходного сигнала	Transistor with Base
Количество каналов	1
Исполнение корпуса	6-DIP
Выходной ток на канал	-
Изоляционное напряжение	5000Vrms
Время нарастания / Время затухания (Номинальное)	-
Прямое напряжение (Vf)	1.2V
Выходное напряжение (Макс)	80V
Прямой ток (If) (Max)	60mA
Коэффициент усиления по току (Мин)	20% @ 10mA
Коэффициент усиления по току (Макс)	-
Время включения / выключения (номинальное)	3µs, 3µs
Напряжение насыщения (Макс)	500mV

4N25M-V

4N25M-V характеристики