2SK3666-2-TB-E от 13.3 ₽, Транзисторы — полевые с управляющим переходом (JFET), JFET NCH 30V 200MW 3CP, ON Semiconductor

2SK3666-2-TB-E характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Рабочая температура	150°C (TJ)
Рассеивание мощности	200mW
Исполнение корпуса	3-CP
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4pF @ 10V
Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)	600µA @ 10V
Напряжение отсечки (VGS off) @ Id	180mV @ 1µA
Сопротивление в режиме насыщения (RDS)	200 Ohms
Ток утечки (Id) - Макс	10mA

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Рабочая температура	150°C (TJ)
Рассеивание мощности	200mW
Исполнение корпуса	3-CP
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4pF @ 10V
Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)	600µA @ 10V
Напряжение отсечки (VGS off) @ Id	180mV @ 1µA
Сопротивление в режиме насыщения (RDS)	200 Ohms
Ток утечки (Id) - Макс	10mA