Infineon Technologies AG
Новые продукты Infineon Technologies AG
| Вид | Наименование | |
|---|---|---|
|
IPW60R160C6 MOSFET N-Ch 600V 23.8A TO247-3 CoolMOS C6 Срок поставки 5-10 дней |
|
|
BTN7970S Half Bridge Based Peripheral Driver, 77A, MOS, PSFM7 Срок поставки 2-3 недели |
|
|
|
SPB160N04S2L-03 MOSFET N-Ch 40V 160A D2PAK-6 Срок поставки 5-10 дней |
|
|
|
BG 5120K E6327 RF MOSFET Transistors 20mA 200mW Срок поставки 5-10 дней |
|
|
BCW 60C E6327 Срок поставки 2-3 недели |
|
|
|
IPD031N06L3 G MOSFET N-Ch 60V 100A DPAK-2 OptiMOS 3 Срок поставки 5-10 дней |
|
|
|
TLE7259-2GE LIN Transceivers IC LIN TRANS 1TX 1RX 0.02MBD Срок поставки 5-10 дней |
|
|
SPS04N60C3 Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 600V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA Срок поставки 2-3 недели |
|
|
|
IPB107N20NA MOSFET N-Ch 200V 88A D2PAK-2 Срок поставки 5-10 дней |
|
|
|
BSC016N04LS G MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3 Срок поставки 5-10 дней |
|
|
|
ESD8V0R1B-02ELS E6327 ESD Suppressors / TVS Diodes TVS D Bi-direct Low Cap Срок поставки 5-10 дней |
|
|
|
BAR 63-05W H6327 PIN Diodes RF DIODES Срок поставки 5-10 дней |
|
|
|
BFP 620F H7764 RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR Срок поставки 5-10 дней |
|
|
|
BCW 66KG E6327 Bipolar Transistors - BJT NPN 45.0 V 100 mA Срок поставки 5-10 дней |
|
|
|
BFR 193W H6327 Trans GP BJT NPN 12V 0.08A 3-Pin SOT-323 T/R (Alt: SP000734404) Срок поставки 2-3 недели |
|
|
|
SPP80P06P H MOSFET P-Ch -60V -80A TO220-3 Срок поставки 5-10 дней |
|
|
|
BSS315P L6327 MOSFET P-Ch -30V 1.5A SOT-23-3 Срок поставки 5-10 дней |
|
|
|
IPB260N06N3 G MOSFET N-Ch 200V 27A D2PAK-2 Срок поставки 5-10 дней |
|
|
IPP80N06S2L-05 Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB Срок поставки 2-3 недели |
|
|
|
BF 799 E6327 Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon RF TRANSISTOR Срок поставки 5-10 дней |