Infineon Technologies AG
Новые продукты Infineon Technologies AG
| Вид | Наименование | |
|---|---|---|
|
BF 998R E6327 RF MOSFET Transistors Silicon N Channel MOSFET Tetrode Срок поставки 5-10 дней |
|
|
|
BC 817K-40W E6327 Bipolar Transistors - BJT AF TRANS GP BJT NPN 45V 0.5A Срок поставки 5-10 дней |
|
|
|
PTFA191001E V4 RF MOSFET Transistors RFP-LDMOS GOLDMOS 8 Срок поставки 5-10 дней |
|
|
|
BC 817K-25 E6327 Bipolar Transistors - BJT AF TRANS GP BJT NPN 45V 0.5A Срок поставки 5-10 дней |
|
|
TLE7270-2D Fixed Positive LDO Regulator, 5V, 0.3V Dropout, CMOS, PSSO4 Срок поставки 2-3 недели |
|
|
|
BGA 427 H6327 RF Amp Chip Single GP 3GHz 5V 4-Pin(3+Tab) SOT-343 (Alt: BGA 427 H6327) Срок поставки 2-3 недели |
|
|
|
BB 640 E6327 Varactor Diodes Varactor Diode 30 V 20mA Срок поставки 5-10 дней |
|
|
|
IPP47N10SL-26 Trans MOSFET N-CH 100V 47A 3-Pin TO-220 Tube (Alt: SP000225707) Срок поставки 2-3 недели |
|
|
|
IPP80N04S2-H4 Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-220AB Срок поставки 2-3 недели |
|
|
|
IPB029N06N3 G MOSFET N-Ch 60V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3 Срок поставки 5-10 дней |
|
|
|
BCX 70J E6433 Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R (Alt: SP000010573) Срок поставки 2-3 недели |
|
|
|
IPB020N04N G MOSFET N-Ch 40V 140A D2PAK-6 OptiMOS 3 Срок поставки 5-10 дней |
|
|
|
IPB530N15N3 G MOSFET N-Ch 150V 21A D2PAK-2 OptiMOS 3 Срок поставки 5-10 дней |
|
|
|
BAR 66 E6327 Diode PIN 150V 3-Pin SOT-23 T/R (Alt: SP000010187) Срок поставки 2-3 недели |
|
|
|
IPB230N06L3 G MOSFET N-Ch 200V 30A D2PAK-2 Срок поставки 5-10 дней |
|
|
|
MMBTA 56 LT1 Bipolar Transistors - BJT AF GP BJT PNP 80V 0.5A Срок поставки 5-10 дней |
|
|
|
IPP60R160C6 Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin TO-220 Tube (Alt: IPP60R160C6) Срок поставки 2-3 недели |
|
|
IKW20N60H3 Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247 Срок поставки 2-3 недели |
|
|
|
IPP015N04N G MOSFET, N CH, 120A, 40V, PG-TO220-3 Срок поставки 5-10 дней |
|
|
SPP03N60S5 Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 600V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB Срок поставки 2-3 недели |