Каталог товаров
Назад

SI8457DB-T1-E1

  • Описание
    Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -10,2А; Idm: -25А


SI8457DB-T1-E1 характеристики

Серия TrenchFET®
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 4-UFBGA
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса 4-MICRO FOOT® (1.6x1.6)
Рассеивание мощности (Макс) 1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Тип полевого транзистора P-Channel
Особенности полевого транзистора -
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 12V
Ток стока (Id) @ 25°C -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19 mOhm @ 3A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 700mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 93nC @ 8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2900pF @ 6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Vgs (Max) ±8V

Характеристики

Серия TrenchFET®
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 4-UFBGA
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса 4-MICRO FOOT® (1.6x1.6)
Рассеивание мощности (Макс) 1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Тип полевого транзистора P-Channel
Особенности полевого транзистора -
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 12V
Ток стока (Id) @ 25°C -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19 mOhm @ 3A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 700mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 93nC @ 8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2900pF @ 6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Vgs (Max) ±8V

SI8457DB-T1-E1

  • Описание
    Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -10,2А; Idm: -25А
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию



Бесплатная доставка SI8457DB-T1-E1 по России

Транзисторы — полевые — одиночные SI8457DB-T1-E1 Vishay Siliconix доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить SI8457DB-T1-E1 с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Похожие товары
AO3160
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 0,03А; 0,89Вт; SOT23A-3
3,000 шт.
415 шт.
от 29.4 ₽
+ 22
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 0.034A SOT23
1 шт.
5178 шт.
от 44.5 ₽
+ 147
AO3400
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
3,000 шт.
534 шт.
от 36 ₽
+ 146
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,7А; 1,4Вт; SOT23
1 шт.
513673 шт.
от 89 ₽
+ 13
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4А; 1,4Вт; SOT23
1 шт.
596756 шт.
от 89 ₽
+ 13