Каталог товаров
Назад

SI5920DC-T1-E3

  • Описание
    MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8


SI5920DC-T1-E3 характеристики

Серия TrenchFET®
Part Status Obsolete
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 8-SMD, Flat Lead
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 3.12W
Исполнение корпуса 1206-8 ChipFET™
Base Part Number SI5920
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 8V
Ток стока (Id) @ 25°C 4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32 mOhm @ 6.8A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 680pF @ 4V

Характеристики

Серия TrenchFET®
Part Status Obsolete
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 8-SMD, Flat Lead
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 3.12W
Исполнение корпуса 1206-8 ChipFET™
Base Part Number SI5920
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 8V
Ток стока (Id) @ 25°C 4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32 mOhm @ 6.8A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 680pF @ 4V

SI5920DC-T1-E3

  • Описание
    MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8
SI5920DC-T1-E3
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию



Бесплатная доставка SI5920DC-T1-E3 по России

Транзисторы — полевые — массивы SI5920DC-T1-E3 Vishay Siliconix доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить SI5920DC-T1-E3 с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Похожие товары
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
50 шт.
от 2 038 ₽
+ 306
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
55 шт.
от 1 835 ₽
+ 275
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
22 шт.
от 1 835 ₽
+ 275
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
12 шт.
от 1 482 ₽
+ 222
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
118 шт.
от 1 634 ₽
+ 245