Каталог товаров
Назад

IRFSL4510PBF

  • Описание
    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 64А; 140Вт; TO262


IRFSL4510PBF характеристики

Серия HEXFET®
Part Status Active
Упаковка Tube
Вид монтажа Through Hole
Корпус TO-262-3 Long Leads, I?Pak, TO-262AA
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса TO-262
Рассеивание мощности (Макс) 140W (Tc)
Тип полевого транзистора N-Channel
Особенности полевого транзистора -
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 100V
Ток стока (Id) @ 25°C 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.9 mOhm @ 37A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 87nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3180pF @ 50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (Max) ±20V

Характеристики

Серия HEXFET®
Part Status Active
Упаковка Tube
Вид монтажа Through Hole
Корпус TO-262-3 Long Leads, I?Pak, TO-262AA
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса TO-262
Рассеивание мощности (Макс) 140W (Tc)
Тип полевого транзистора N-Channel
Особенности полевого транзистора -
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 100V
Ток стока (Id) @ 25°C 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.9 mOhm @ 37A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 87nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3180pF @ 50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (Max) ±20V

IRFSL4510PBF

  • Описание
    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 64А; 140Вт; TO262
IRFSL4510PBF
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию



Бесплатная доставка IRFSL4510PBF по России

Транзисторы — полевые — одиночные IRFSL4510PBF Infineon Technologies доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить IRFSL4510PBF с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Сопутствующие товары
Infineon Technologies
IC DRIVER HI/LO SIDE 600V 8-SOIC
95 шт.
26659 шт.
от 516 ₽
+ 77
Infineon Technologies
IC DRIVER HI/LO SIDE 600V 8-DIP
3,000 шт.
по запросу
Infineon Technologies
IC: driver; полумост MOSFET; high-/low-side,контроллер затвора
55 шт.
18169 шт.
от 449 ₽
+ 67

Похожие товары
AO3160
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 0,03А; 0,89Вт; SOT23A-3
3,000 шт.
415 шт.
от 29 ₽
+ 22
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 0.034A SOT23
1 шт.
5178 шт.
от 44 ₽
+ 145
AO3400
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
3,000 шт.
534 шт.
от 36 ₽
+ 146
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,7А; 1,4Вт; SOT23
1 шт.
513673 шт.
от 88 ₽
+ 13
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4А; 1,4Вт; SOT23
1 шт.
596756 шт.
от 88 ₽
+ 13