Каталог товаров
Назад

IPD135N03LGATMA1

  • Описание
    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 21А; 31Вт; PG-TO252-3
83
  • 1 шт
    83 ₽
  • 10 шт
    82 ₽
  • 100 шт
    66 ₽
  • 500 шт
    57 ₽
  • 1000 шт
    55 ₽
  • 2500 шт
    49 ₽
  • 25000 шт
    47 ₽
Добавить в корзину 1 шт на сумму 83
При покупке кэшбэк 12 баллов


IPD135N03LGATMA1 характеристики

Серия OptiMOS™
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса PG-TO252-3
Рассеивание мощности (Макс) 31W (Tc)
Тип полевого транзистора N-Channel
Особенности полевого транзистора -
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 30V
Ток стока (Id) @ 25°C 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.5 mOhm @ 30A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1000pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (Max) ±20V
  • Производитель
    Infineon Technologies

Характеристики

Серия OptiMOS™
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса PG-TO252-3
Рассеивание мощности (Макс) 31W (Tc)
Тип полевого транзистора N-Channel
Особенности полевого транзистора -
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 30V
Ток стока (Id) @ 25°C 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.5 mOhm @ 30A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1000pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (Max) ±20V

IPD135N03LGATMA1

  • Описание
    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 21А; 31Вт; PG-TO252-3
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


  • Производитель
    Infineon Technologies

Бесплатная доставка IPD135N03LGATMA1 по России

Транзисторы — полевые — одиночные IPD135N03LGATMA1 Infineon Technologies доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить IPD135N03LGATMA1 с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Похожие товары
AO3160
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 0,03А; 0,89Вт; SOT23A-3
3,000 шт.
415 шт.
от 29 ₽
+ 22
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 0.034A SOT23
1 шт.
5178 шт.
от 44 ₽
+ 145
AO3400
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
3,000 шт.
534 шт.
от 36 ₽
+ 146
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,7А; 1,4Вт; SOT23
1 шт.
513673 шт.
от 89 ₽
+ 13
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4А; 1,4Вт; SOT23
1 шт.
596756 шт.
от 89 ₽
+ 13