+7 (495) 133-39-03 | info@zener.ru
+7 (495) 133-39-03
корзина
Нет товаров
Электронные компоненты оптом и в розницу
корзина
Нет товаров
Каталог товаров
Назад
Все категории
Назад

IPD031N06L3GATMA1

  • Описание
    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 167Вт; PG-TO252-3
551 ₽
  • 1 шт
    551 ₽
  • 10 шт
    408 ₽
  • 100 шт
    310 ₽
  • 250 шт
    274 ₽
  • 500 шт
    260 ₽
  • 1000 шт
    235 ₽
  • 2500 шт
    229 ₽
  • 5000 шт
    223 ₽
  • 10000 шт
    220 ₽
Добавить в корзину 1 шт на сумму 551 ₽
При покупке кэшбэк 82 балла
Добавить в корзину


IPD031N06L3GATMA1 характеристики
Серия OptiMOS™
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса PG-TO252-3
Рассеивание мощности (Макс) 167W (Tc)
Тип полевого транзистора N-Channel
Особенности полевого транзистора -
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 60V
Ток стока (Id) @ 25°C 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.1 mOhm @ 100A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2.2V @ 93µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 79nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 13000pF @ 30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (Max) ±20V
  • Производитель
    Infineon Technologies

Характеристики
Серия OptiMOS™
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса PG-TO252-3
Рассеивание мощности (Макс) 167W (Tc)
Тип полевого транзистора N-Channel
Особенности полевого транзистора -
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 60V
Ток стока (Id) @ 25°C 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.1 mOhm @ 100A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2.2V @ 93µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 79nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 13000pF @ 30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (Max) ±20V

IPD031N06L3GATMA1

  • Описание
    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 167Вт; PG-TO252-3
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


  • Производитель
    Infineon Technologies

Бесплатная доставка IPD031N06L3GATMA1 по России

Транзисторы — полевые — одиночные IPD031N06L3GATMA1 Infineon Technologies доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить IPD031N06L3GATMA1 с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Похожие товары
AO3160
AO3160
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 0,03А; 0,89Вт; SOT23A-3
3,000 шт.
415 шт.
от 29 ₽
+ 22
AO3162
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 0.034A SOT23
1 шт.
5178 шт.
от 44 ₽
+ 145
AO3400
AO3400
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
3,000 шт.
534 шт.
от 36 ₽
+ 146
AO3400A
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,7А; 1,4Вт; SOT23
1 шт.
513673 шт.
от 89 ₽
+ 13
AO3401A
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4А; 1,4Вт; SOT23
1 шт.
596756 шт.
от 89 ₽
+ 13
Смотреть все
Выберите ваш город