Каталог товаров
Назад

IPB60R099C6ATMA1

  • Описание
    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 37,9А; 278Вт; PG-TO263-3
1 252
  • 1 шт
    1 252 ₽
  • 10 шт
    844 ₽
  • 100 шт
    612 ₽
  • 500 шт
    523 ₽
  • 1000 шт
    523 ₽
Добавить в корзину 1 шт на сумму 1 252
При покупке кэшбэк 187 баллов


IPB60R099C6ATMA1 характеристики

Серия CoolMOS™
Part Status Not For New Designs
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса D?PAK (TO-263AB)
Рассеивание мощности (Макс) 278W (Tc)
Тип полевого транзистора N-Channel
Особенности полевого транзистора -
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 600V
Ток стока (Id) @ 25°C 37.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 99 mOhm @ 18.1A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 3.5V @ 1.21mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 119nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2660pF @ 100V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (Max) ±20V
  • Производитель
    Infineon Technologies

Характеристики

Серия CoolMOS™
Part Status Not For New Designs
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса D?PAK (TO-263AB)
Рассеивание мощности (Макс) 278W (Tc)
Тип полевого транзистора N-Channel
Особенности полевого транзистора -
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 600V
Ток стока (Id) @ 25°C 37.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 99 mOhm @ 18.1A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 3.5V @ 1.21mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 119nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2660pF @ 100V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (Max) ±20V

IPB60R099C6ATMA1

  • Описание
    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 37,9А; 278Вт; PG-TO263-3
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


  • Производитель
    Infineon Technologies

Бесплатная доставка IPB60R099C6ATMA1 по России

Транзисторы — полевые — одиночные IPB60R099C6ATMA1 Infineon Technologies доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить IPB60R099C6ATMA1 с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Похожие товары
AO3160
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 0,03А; 0,89Вт; SOT23A-3
3,000 шт.
415 шт.
от 29 ₽
+ 22
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 0.034A SOT23
1 шт.
5178 шт.
от 44 ₽
+ 145
AO3400
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
3,000 шт.
534 шт.
от 36 ₽
+ 146
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,7А; 1,4Вт; SOT23
1 шт.
513673 шт.
от 89 ₽
+ 13
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4А; 1,4Вт; SOT23
1 шт.
596756 шт.
от 89 ₽
+ 13