Описание

MOSFET N-CH 500V 7A TO-220F

Отправить запрос

FDPF8N50NZF характеристики	Выбрать все
Серия	UniFET-II™
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-220-3 Full Pack
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-220F
Рассеивание мощности (Макс)	40W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	500V
Ток стока (Id) @ 25°C	7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1 Ohm @ 3.5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	735pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±25V

Документация

Datasheetpdf, 7,89 KB

Характеристики	Выбрать все
Серия	UniFET-II™
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-220-3 Full Pack
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-220F
Рассеивание мощности (Макс)	40W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	500V
Ток стока (Id) @ 25°C	7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1 Ohm @ 3.5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	735pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±25V

FDPF8N50NZF

Описание

MOSFET N-CH 500V 7A TO-220F

* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию

Документация

Datasheetpdf, 7,89 KB

Бесплатная доставка FDPF8N50NZF по России

Транзисторы — полевые — одиночные FDPF8N50NZF ON Semiconductor доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить FDPF8N50NZF с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.