ZXMD63C02XTC характеристики	Выбрать все
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.04W
Исполнение корпуса	8-MSOP
Тип полевого транзистора	N and P-Channel
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	130 mOhm @ 1.7A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	700mV @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	350pF @ 15V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.04W
Исполнение корпуса	8-MSOP
Тип полевого транзистора	N and P-Channel
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	130 mOhm @ 1.7A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	700mV @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	350pF @ 15V

ZXMD63C02XTC

ZXMD63C02XTC характеристики