ZXMC4559DN8TA характеристики	Выбрать все
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.25W
Исполнение корпуса	8-SO
Тип полевого транзистора	N and P-Channel
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	3.6A, 2.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	55 mOhm @ 4.5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20.4nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1063pF @ 30V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.25W
Исполнение корпуса	8-SO
Тип полевого транзистора	N and P-Channel
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	3.6A, 2.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	55 mOhm @ 4.5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20.4nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1063pF @ 30V

ZXMC4559DN8TA

ZXMC4559DN8TA характеристики