XN0NE9200L характеристики	Выбрать все
Производитель	Panasonic Electronic Components
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SC-74A, SOT-753
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	125°C (TJ)
Исполнение корпуса	Mini5-G1
Рассеивание мощности (Макс)	600mW (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	Schottky Diode (Isolated)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	12V
Ток стока (Id) @ 25°C	1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	450 mOhm @ 800mA, 4V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.3V @ 1mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4V
Vgs (Max)	±15V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Panasonic Electronic Components
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SC-74A, SOT-753
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	125°C (TJ)
Исполнение корпуса	Mini5-G1
Рассеивание мощности (Макс)	600mW (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	Schottky Diode (Isolated)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	12V
Ток стока (Id) @ 25°C	1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	450 mOhm @ 800mA, 4V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.3V @ 1mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4V
Vgs (Max)	±15V

XN0NE9200L

XN0NE9200L характеристики