VP0550N3-G-P013 характеристики	Выбрать все
Производитель	Microchip Technology
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-92-3
Рассеивание мощности (Макс)	1W (Tc)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	500V
Ток стока (Id) @ 25°C	54mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	125 Ohm @ 10mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4.5V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	70pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Microchip Technology
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-92-3
Рассеивание мощности (Макс)	1W (Tc)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	500V
Ток стока (Id) @ 25°C	54mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	125 Ohm @ 10mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4.5V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	70pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

VP0550N3-G-P013

VP0550N3-G-P013 характеристики