VN0106N3-G характеристики	Выбрать все
Производитель	Microchip Technology
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Bulk
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-92-3
Рассеивание мощности (Макс)	1W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	350mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3 Ohm @ 1A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.4V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	65pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Microchip Technology
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Bulk
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-92-3
Рассеивание мощности (Макс)	1W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	350mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3 Ohm @ 1A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.4V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	65pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

VN0106N3-G

VN0106N3-G характеристики