UM6K33NTN от 64 ₽, Транзисторы — полевые — массивы, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 150мВт, Rohm Semiconductor

UM6K33NTN характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура	150°C (TJ)
Рассеивание мощности	120mW
Исполнение корпуса	UMT6
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate, 1.2V Drive
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	50V
Ток стока (Id) @ 25°C	200mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	25pF @ 10V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура	150°C (TJ)
Рассеивание мощности	120mW
Исполнение корпуса	UMT6
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate, 1.2V Drive
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	50V
Ток стока (Id) @ 25°C	200mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	25pF @ 10V