TS3A5018DR характеристики	Выбрать все
Производитель	Texas Instruments
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Корпус	16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C (TA)
Исполнение корпуса	16-SOIC
Количество схем	4
Base Part Number	TS3A5018
Полоса пропускания -3 дБ	300MHz
Схема Мультиплексора/Демультиплексора	2:1
Переключающая схема	SPDT
"Сопротивление в состоянии ""Включено"" (Макс)"	10 Ohm
Напряжение питания (V+)	1.65 V ~ 3.6 V
Напряжение притания - двухполярное (V±)	-
Channel-to-Channel Matching (?Ron)	300 mOhm
Время переключения (Ton, Toff) (Макс)	8ns, 6.5ns
Инжекция заряда	2pC
Channel Capacitance (CS(off), CD(off))	4.5pF, 9pF
Ток утечки (IS(off)) (Max)	100nA
Перекрёстные помехи	-48dB @ 10MHz

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Texas Instruments
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Корпус	16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C (TA)
Исполнение корпуса	16-SOIC
Количество схем	4
Base Part Number	TS3A5018
Полоса пропускания -3 дБ	300MHz
Схема Мультиплексора/Демультиплексора	2:1
Переключающая схема	SPDT
"Сопротивление в состоянии ""Включено"" (Макс)"	10 Ohm
Напряжение питания (V+)	1.65 V ~ 3.6 V
Напряжение притания - двухполярное (V±)	-
Channel-to-Channel Matching (?Ron)	300 mOhm
Время переключения (Ton, Toff) (Макс)	8ns, 6.5ns
Инжекция заряда	2pC
Channel Capacitance (CS(off), CD(off))	4.5pF, 9pF
Ток утечки (IS(off)) (Max)	100nA
Перекрёстные помехи	-48dB @ 10MHz

TS3A5018DR

TS3A5018DR характеристики