TS12A4516DR характеристики	Выбрать все
Производитель	Texas Instruments
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C (TA)
Исполнение корпуса	8-SOIC
Количество схем	1
Base Part Number	TS12A4516
Полоса пропускания -3 дБ	464MHz
Схема Мультиплексора/Демультиплексора	1:1
Переключающая схема	SPST - NO
"Сопротивление в состоянии ""Включено"" (Макс)"	20 Ohm
Напряжение питания (V+)	-
Напряжение притания - двухполярное (V±)	±1 V ~ 6 V
Channel-to-Channel Matching (?Ron)	-
Время переключения (Ton, Toff) (Макс)	75ns, 45ns
Инжекция заряда	-13pC
Channel Capacitance (CS(off), CD(off))	5.5pF, 5.5pF
Ток утечки (IS(off)) (Max)	5nA
Перекрёстные помехи	-

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Texas Instruments
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C (TA)
Исполнение корпуса	8-SOIC
Количество схем	1
Base Part Number	TS12A4516
Полоса пропускания -3 дБ	464MHz
Схема Мультиплексора/Демультиплексора	1:1
Переключающая схема	SPST - NO
"Сопротивление в состоянии ""Включено"" (Макс)"	20 Ohm
Напряжение питания (V+)	-
Напряжение притания - двухполярное (V±)	±1 V ~ 6 V
Channel-to-Channel Matching (?Ron)	-
Время переключения (Ton, Toff) (Макс)	75ns, 45ns
Инжекция заряда	-13pC
Channel Capacitance (CS(off), CD(off))	5.5pF, 5.5pF
Ток утечки (IS(off)) (Max)	5nA
Перекрёстные помехи	-

TS12A4516DR

TS12A4516DR характеристики