TS12A44513DR характеристики	Выбрать все
Производитель	Texas Instruments
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Корпус	14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C (TA)
Исполнение корпуса	14-SOIC
Количество схем	4
Base Part Number	TS12A44513
Полоса пропускания -3 дБ	530MHz
Схема Мультиплексора/Демультиплексора	1:1
Переключающая схема	SPST - NO/NC
"Сопротивление в состоянии ""Включено"" (Макс)"	10 Ohm
Напряжение питания (V+)	2.7 V ~ 12 V
Напряжение притания - двухполярное (V±)	-
Channel-to-Channel Matching (?Ron)	2.5 Ohm (Max)
Время переключения (Ton, Toff) (Макс)	75ns, 45ns
Инжекция заряда	-10.5pC
Channel Capacitance (CS(off), CD(off))	8pF, 8pF
Ток утечки (IS(off)) (Max)	1nA
Перекрёстные помехи	-

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Texas Instruments
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Корпус	14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C (TA)
Исполнение корпуса	14-SOIC
Количество схем	4
Base Part Number	TS12A44513
Полоса пропускания -3 дБ	530MHz
Схема Мультиплексора/Демультиплексора	1:1
Переключающая схема	SPST - NO/NC
"Сопротивление в состоянии ""Включено"" (Макс)"	10 Ohm
Напряжение питания (V+)	2.7 V ~ 12 V
Напряжение притания - двухполярное (V±)	-
Channel-to-Channel Matching (?Ron)	2.5 Ohm (Max)
Время переключения (Ton, Toff) (Макс)	75ns, 45ns
Инжекция заряда	-10.5pC
Channel Capacitance (CS(off), CD(off))	8pF, 8pF
Ток утечки (IS(off)) (Max)	1nA
Перекрёстные помехи	-

TS12A44513DR

TS12A44513DR характеристики