TPN6R303NC,LQ характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	U-MOSVIII
Part Status	Discontinued at Digi-Key
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerVDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-TSON Advance (3.3x3.3)
Рассеивание мощности (Макс)	700mW (Ta), 19W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.3 mOhm @ 10A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.3V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	24nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1370pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	U-MOSVIII
Part Status	Discontinued at Digi-Key
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerVDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-TSON Advance (3.3x3.3)
Рассеивание мощности (Макс)	700mW (Ta), 19W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.3 mOhm @ 10A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.3V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	24nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1370pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

TPN6R303NC,LQ

TPN6R303NC,LQ характеристики