TPN13008NH,L1Q характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	U-MOSVIII-H
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerVDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-TSON Advance (3.3x3.3)
Рассеивание мощности (Макс)	700mW (Ta), 42W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	80V
Ток стока (Id) @ 25°C	18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13.3 mOhm @ 9A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1600pF @ 40V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	U-MOSVIII-H
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerVDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-TSON Advance (3.3x3.3)
Рассеивание мощности (Макс)	700mW (Ta), 42W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	80V
Ток стока (Id) @ 25°C	18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13.3 mOhm @ 9A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1600pF @ 40V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V

TPN13008NH,L1Q

TPN13008NH,L1Q характеристики