TPN1110ENH,L1Q от 483 ₽, Транзисторы — полевые — одиночные, MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON, Toshiba Semiconductor and Storage

TPN1110ENH,L1Q характеристики	Выбрать все
Серия	U-MOSVIII-H
Part Status	Discontinued at Digi-Key
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerVDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-TSON Advance (3.3x3.3)
Рассеивание мощности (Макс)	700mW (Ta), 39W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	200V
Ток стока (Id) @ 25°C	7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	114 mOhm @ 3.6A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	600pF @ 100V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Серия	U-MOSVIII-H
Part Status	Discontinued at Digi-Key
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerVDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-TSON Advance (3.3x3.3)
Рассеивание мощности (Макс)	700mW (Ta), 39W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	200V
Ток стока (Id) @ 25°C	7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	114 mOhm @ 3.6A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	600pF @ 100V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V