TPH4R10ANL,L1Q характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	U-MOSVIII-H
Part Status	Active
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerVDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C
Исполнение корпуса	8-SOP Advance (5x5)
Рассеивание мощности (Макс)	2.5W (Ta), 67W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	100V
Ток стока (Id) @ 25°C	92A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.1 mOhm @ 35A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	75nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	6.3nF @ 50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	U-MOSVIII-H
Part Status	Active
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerVDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C
Исполнение корпуса	8-SOP Advance (5x5)
Рассеивание мощности (Макс)	2.5W (Ta), 67W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	100V
Ток стока (Id) @ 25°C	92A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.1 mOhm @ 35A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	75nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	6.3nF @ 50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

TPH4R10ANL,L1Q

TPH4R10ANL,L1Q характеристики