TPH3206LDGB характеристики	Выбрать все
Производитель	Transphorm
Серия	-
Part Status	Not For New Designs
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	3-PowerDFN
Технология	GaNFET (Gallium Nitride)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PQFN (8x8)
Рассеивание мощности (Макс)	81W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	650V
Ток стока (Id) @ 25°C	16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	180 mOhm @ 11A, 8V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.6V @ 500µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9.3nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	760pF @ 480V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	8V
Vgs (Max)	±18V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Transphorm
Серия	-
Part Status	Not For New Designs
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	3-PowerDFN
Технология	GaNFET (Gallium Nitride)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PQFN (8x8)
Рассеивание мощности (Макс)	81W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	650V
Ток стока (Id) @ 25°C	16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	180 mOhm @ 11A, 8V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.6V @ 500µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9.3nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	760pF @ 480V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	8V
Vgs (Max)	±18V

TPH3206LDGB

TPH3206LDGB характеристики