TPH14006NH,L1Q характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	U-MOSVIII-H
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerVDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-SOP Advance (5x5)
Рассеивание мощности (Макс)	1.6W (Ta), 32W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14 mOhm @ 7A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	16nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1300pF @ 30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	U-MOSVIII-H
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerVDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-SOP Advance (5x5)
Рассеивание мощности (Макс)	1.6W (Ta), 32W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14 mOhm @ 7A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	16nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1300pF @ 30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

TPH14006NH,L1Q

TPH14006NH,L1Q характеристики