Каталог товаров
Назад

TPD3215M

  • Описание
    CASCODE GAN HB 600V 70A MODULE
  • Бесплатная доставка по России
    Бесплатная доставка без минимальной суммы заказа!
    Доставим в любой пункт выдачи СДЭК или курьером до вашего адреса по всей России.

TPD3215M характеристики

Серия -
Part Status Last Time Buy
Упаковка Bulk
Вид монтажа Through Hole
Корпус Module
Рабочая температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 470W
Исполнение корпуса Module
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Half Bridge)
Особенности полевого транзистора GaNFET (Gallium Nitride)
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 600V
Ток стока (Id) @ 25°C 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 34 mOhm @ 30A, 8V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2260pF @ 100V

Характеристики

Серия -
Part Status Last Time Buy
Упаковка Bulk
Вид монтажа Through Hole
Корпус Module
Рабочая температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 470W
Исполнение корпуса Module
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Half Bridge)
Особенности полевого транзистора GaNFET (Gallium Nitride)
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 600V
Ток стока (Id) @ 25°C 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 34 mOhm @ 30A, 8V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2260pF @ 100V

TPD3215M

  • Описание
    CASCODE GAN HB 600V 70A MODULE
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию



Бесплатно доставим TPD3215M в пункт выдачи или курьером по вашему адресу

Транзисторы — полевые — массивы TPD3215M Transphorm доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить TPD3215M с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Похожие товары
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
35 шт - 4-6 недель
от 1927 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 289
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
33 шт - 4-6 недель
от 1731 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 260
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
14 шт - 4-6 недель
от 1731 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 260
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
43 шт - 4-6 недель
от 1400 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 210
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
46 шт - 4-6 недель
от 1861 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 279
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
48 шт - 4-6 недель
от 1861 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 279
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
303 шт - 4-6 недель
от 1345 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 202
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
40 шт - 4-6 недель
от 1353 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 203
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP
95 шт - 4-6 недель
от 1345 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 202
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC
1541 шт - 4-6 недель
от 1353 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 203
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP
90 шт - 4-6 недель
от 1345 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 202
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14SOIC
77 шт - 4-6 недель
от 1254 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 188