Каталог товаров
Назад

TPD3215M

  • Описание
    CASCODE GAN HB 600V 70A MODULE
  • Бесплатная доставка по России
    Бесплатная доставка без минимальной суммы заказа!
    Доставим в любой пункт выдачи СДЭК или курьером до вашего адреса по всей России.

TPD3215M характеристики

Серия -
Part Status Last Time Buy
Упаковка Bulk
Вид монтажа Through Hole
Корпус Module
Рабочая температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 470W
Исполнение корпуса Module
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Half Bridge)
Особенности полевого транзистора GaNFET (Gallium Nitride)
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 600V
Ток стока (Id) @ 25°C 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 34 mOhm @ 30A, 8V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2260pF @ 100V

Характеристики

Серия -
Part Status Last Time Buy
Упаковка Bulk
Вид монтажа Through Hole
Корпус Module
Рабочая температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 470W
Исполнение корпуса Module
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Half Bridge)
Особенности полевого транзистора GaNFET (Gallium Nitride)
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 600V
Ток стока (Id) @ 25°C 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 34 mOhm @ 30A, 8V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2260pF @ 100V

TPD3215M

  • Описание
    CASCODE GAN HB 600V 70A MODULE
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию



Бесплатно доставим TPD3215M в пункт выдачи или курьером по вашему адресу

Транзисторы — полевые — массивы TPD3215M Transphorm доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить TPD3215M с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Похожие товары
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
25 шт - 4-6 недель
от 1761 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 264
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
20 шт - 4-6 недель
от 1582 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 237
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
40 шт - 4-6 недель
от 1582 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 237
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
43 шт - 4-6 недель
от 1280 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 192
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
34 шт - 4-6 недель
от 1701 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 255
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
45 шт - 4-6 недель
от 1701 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 255
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
139 шт - 4-6 недель
от 1233 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 185
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
40 шт - 4-6 недель
от 1236 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 185
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP
188 шт - 4-6 недель
от 1230 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 185
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC
3011 шт - 4-6 недель
от 1236 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 185
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP
152 шт - 4-6 недель
от 1230 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 185
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14SOIC
31 шт - 4-6 недель
от 1146 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 172