TPCP8J01(TE85L,F,M характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	-
Part Status	Active
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SMD, Flat Lead
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PS-8
Рассеивание мощности (Макс)	2.14W (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	32V
Ток стока (Id) @ 25°C	5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	35 mOhm @ 3A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	34nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1760pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	-
Part Status	Active
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SMD, Flat Lead
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PS-8
Рассеивание мощности (Макс)	2.14W (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	32V
Ток стока (Id) @ 25°C	5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	35 mOhm @ 3A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	34nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1760pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Vgs (Max)	±20V

TPCP8J01(TE85L,F,M

TPCP8J01(TE85L,F,M характеристики