TPCP8103-H(TE85LFM характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	U-MOSIII-H
Part Status	Discontinued at Digi-Key
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SMD, Flat Lead
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PS-8 (2.9x2.4)
Рассеивание мощности (Макс)	840mW (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	40V
Ток стока (Id) @ 25°C	4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	40 mOhm @ 2.4A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	19nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	800pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	U-MOSIII-H
Part Status	Discontinued at Digi-Key
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SMD, Flat Lead
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PS-8 (2.9x2.4)
Рассеивание мощности (Макс)	840mW (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	40V
Ток стока (Id) @ 25°C	4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	40 mOhm @ 2.4A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	19nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	800pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

TPCP8103-H(TE85LFM

TPCP8103-H(TE85LFM характеристики