TPCC8103(TE12L,QM) характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	U-MOSV
Part Status	Discontinued at Digi-Key
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerVDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-TSON Advance (3.3x3.3)
Рассеивание мощности (Макс)	700mW (Ta), 27W (Tc)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12 mOhm @ 9A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	38nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1600pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	U-MOSV
Part Status	Discontinued at Digi-Key
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerVDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-TSON Advance (3.3x3.3)
Рассеивание мощности (Макс)	700mW (Ta), 27W (Tc)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12 mOhm @ 9A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	38nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1600pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Vgs (Max)	±20V

TPCC8103(TE12L,QM)

TPCC8103(TE12L,QM) характеристики