TPCC8093,L1Q характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	U-MOSVII
Part Status	Active
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerVDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C
Исполнение корпуса	8-TSON Advance (3.3x3.3)
Рассеивание мощности (Макс)	1.9W (Ta), 30W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.8 mOhm @ 10.5A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.2V @ 500µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	16nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1860pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Vgs (Max)	±12V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	U-MOSVII
Part Status	Active
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerVDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C
Исполнение корпуса	8-TSON Advance (3.3x3.3)
Рассеивание мощности (Макс)	1.9W (Ta), 30W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.8 mOhm @ 10.5A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.2V @ 500µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	16nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1860pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Vgs (Max)	±12V

TPCC8093,L1Q

TPCC8093,L1Q характеристики