TPCA8A04-H(TE12L,Q характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	U-MOSV-H
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerVDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-SOP Advance (5x5)
Рассеивание мощности (Макс)	-
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	44A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.2 mOhm @ 22A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	59nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5700pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	U-MOSV-H
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerVDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-SOP Advance (5x5)
Рассеивание мощности (Макс)	-
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	44A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.2 mOhm @ 22A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	59nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5700pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

TPCA8A04-H(TE12L,Q

TPCA8A04-H(TE12L,Q характеристики