TPC8A06-H(TE12LQM) характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-
Исполнение корпуса	8-SOP (5.5x6.0)
Рассеивание мощности (Макс)	-
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	Schottky Diode (Body)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.1 mOhm @ 6A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	19nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1800pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-
Исполнение корпуса	8-SOP (5.5x6.0)
Рассеивание мощности (Макс)	-
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	Schottky Diode (Body)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.1 mOhm @ 6A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	19nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1800pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

TPC8A06-H(TE12LQM)

TPC8A06-H(TE12LQM) характеристики