TPC8213-H(TE12LQ,M характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Рассеивание мощности	450mW
Исполнение корпуса	8-SOP (5.5x6.0)
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50 mOhm @ 2.5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	625pF @ 10V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Рассеивание мощности	450mW
Исполнение корпуса	8-SOP (5.5x6.0)
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50 mOhm @ 2.5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	625pF @ 10V

TPC8213-H(TE12LQ,M

TPC8213-H(TE12LQ,M характеристики