TPC8129,LQ(S характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	U-MOSVI
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-SOP
Рассеивание мощности (Макс)	1W (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	22 mOhm @ 4.5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	39nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1650pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	+20V, -25V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	U-MOSVI
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-SOP
Рассеивание мощности (Макс)	1W (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	22 mOhm @ 4.5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	39nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1650pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	+20V, -25V

TPC8129,LQ(S

TPC8129,LQ(S характеристики