TPC8111(TE12L,Q,M) характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-SOP (5.5x6.0)
Рассеивание мощности (Макс)	1W (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12 mOhm @ 5.5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	107nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5710pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-SOP (5.5x6.0)
Рассеивание мощности (Макс)	1W (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12 mOhm @ 5.5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	107nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5710pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Vgs (Max)	±20V

TPC8111(TE12L,Q,M)

TPC8111(TE12L,Q,M) характеристики