TPC6503(TE85L,F,M) характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	U-MOSVII
Part Status	Active
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Рабочая температура	150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.6W
Исполнение корпуса	VS-6 (2.9x2.8)
Тип транзистора	NPN
Максимальный Ток Коллектора (Ic)	1.5A
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер	30V
Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic	120mV @ 10mA, 500mA
Обратный ток коллектора (Max)	100nA (ICBO)
Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce	400 @ 150mA, 2V
Трансформация частоты	-

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	U-MOSVII
Part Status	Active
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Рабочая температура	150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.6W
Исполнение корпуса	VS-6 (2.9x2.8)
Тип транзистора	NPN
Максимальный Ток Коллектора (Ic)	1.5A
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер	30V
Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic	120mV @ 10mA, 500mA
Обратный ток коллектора (Max)	100nA (ICBO)
Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce	400 @ 150mA, 2V
Трансформация частоты	-

TPC6503(TE85L,F,M)

TPC6503(TE85L,F,M) характеристики