TP65H050WS от 2553 руб, Транзисторы — полевые — одиночные, 650 V 34 A CASCODE GAN FET, Transphorm

TP65H050WS характеристики	Выбрать все
Производитель	Transphorm
Серия	-
Part Status	Active
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-247-3
Технология	GaNFET (Gallium Nitride)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-247-3
Рассеивание мощности (Макс)	119W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	650V
Ток стока (Id) @ 25°C	34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60 mOhm @ 22A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4.8V @ 700µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	24nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1000pF @ 400V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Transphorm
Серия	-
Part Status	Active
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-247-3
Технология	GaNFET (Gallium Nitride)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-247-3
Рассеивание мощности (Макс)	119W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	650V
Ток стока (Id) @ 25°C	34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60 mOhm @ 22A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4.8V @ 700µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	24nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1000pF @ 400V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V